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    行会聊天命令:1.加入行会:/joi2.离开行会:/leave3.发送行会消息:/g4.查看行会成员:/lit5.查看行会聊天记录:/log6.查看行会公告:/aoucemet7.查看行会统计信息:/tat8.查看行会排行榜:/rak1、高斯图命令是没有前续任务的不过你去高斯图那里的时候他不会直接给你"高斯图的命令"这个任务,你得和他交谈,谈到最后他就会把这个任务交给你了,这个和黑石深渊的任务是没关联的1.高图斯的命令。2、在荒芜之地的卡加斯,梢塔上。3、找NPC高图斯接到任务。4、任务要求你去黑石塔下层副本杀3个o(尖石大王、指挥官和龙),并找到1个重要文件。5、这个文件通常在上面3个o附近的地上。6、完成后回高图斯那里交任务,他会给你新的任务。7、2.伊催格的智慧回到奥格瑞玛,智慧谷大厅,萨尔的边上就是NPC伊催格,和他对话。8、然后再和萨尔对话,获得下一个任务3.为部落而战萨尔要求你去杀掉黑石塔上层副本的假酋长雷德。9、黑手,杀死他后回到萨尔这里交任务。10、萨尔会奖励全城“雷劈”uff。11、4.部落勇士雷克萨萨尔继续要求你去找雷克萨对话。12、雷克萨(62精英带头熊的就是)在凄凉之地到菲拉斯之间的大路上来回巡逻。13、找到他并对话,他要求你先去见巫女麦兰达。14、5.巫女麦兰达在西瘟疫之地,悔恨岭的三岔路口的树桩上找到NPC巫女麦兰达(一个侏儒),对话。15、她给你一个新任务6.黑龙幻像去黑石塔上层杀死精英龙,获得20个龙人眼球。16、完成后交回给麦兰达,她给你做一个可以变成龙的项链。17、7.黑龙长者埃博斯塔夫去尘泥沼泽最下方的埃博斯塔夫龙洞,进洞后佩带项链并使用,变身成龙。18、然后和埃博斯塔夫(62精英龙)对话。19、它要求你先通过3个试炼,分别杀死3头龙:(1)冬泉谷蓝龙洞中的o斯克利尔(2)加基森时光之穴门口的黄龙o克鲁纳里斯(3)悲伤沼泽神庙东边的绿龙o索姆努斯。20、杀完这3头龙,带着3头龙的头颅回到埃博斯塔夫交任务,它还要求你去杀一头红龙。21、8.龙骨试炼,埃克托兹在湿地的东南,迅猛龙山脊附近,找到红龙o埃克托兹。22、杀死它,获得头颅带回给埃博斯塔夫。23、9.紧急埃博斯塔夫给你一枚“黯淡的龙火护符”,让你去凄凉之地找雷克萨。24、找到雷克萨并对话,他告诉你要你去取得黑上龙将军之血10.黑龙勇士之血去黑石上杀死最后龙o,取得它的血。25、回凄凉交给雷克萨。26、雷克萨会将“黯淡的龙火护符”和“黑龙勇士之血”融合成真正的“龙火护符”。27、这就是进入黑龙公主奥妮克西亚洞穴大门的钥匙。点评:该问题属于软件使用技巧类问题,建议可以查阅相关的软件使用说明文档,或者网上搜索相关的解决方案。...

    2023-03-08 雷克萨凄凉之地坐标 雷克萨凄凉之地

  • 模拟电子技术 第5版》江晓安,付少峰主编;杨振江副主编|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《模拟电子技术第5版》【作者】江晓安,付少峰主编;杨振江副主编【丛书名】普通高等教育“十一五”国家级规划教材【页数】260【出版社】西安:西安电子科技大学出版社,2021.09【ISBN号】978-7-5606-6198-8【价格】43.00【分类】模拟电路-电子技术【参考文献】江晓安,付少峰主编;杨振江副主编.模拟电子技术第5版.西安:西安电子科技大学出版社,2021.09.图书封面:《模拟电子技术第5版》内容提要:本书是编者多年教学经验的总结,综合了电子信息类相关专业的教学大纲,适应面宽。作者在编写时力求精选内容,深入浅出,图文并茂,便于教和学。此次修订已经是第五版,主要是改错、完善,增加了一些学习资源(课件、视频、大量仿真)……...

    2023-03-01 模拟电子技术西安电子科技大学出版社 模拟电子技术西安电子科技大学出版社答案

  • 模拟电子技术 第2版》韩党群;赵东波;刘勃妮|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《模拟电子技术第2版》【作者】韩党群;赵东波;刘勃妮【页数】323【出版社】西安:西安电子科技大学出版社,2021.12【ISBN号】978-7-5606-6318-0【价格】52.00【分类】模拟电路-电子技术【参考文献】韩党群;赵东波;刘勃妮.模拟电子技术第2版.西安:西安电子科技大学出版社,2021.12.图书封面:图书目录:《模拟电子技术第2版》内容提要:本书主要介绍半导体及其模拟器件的应用电路、相关知识和分析理论。全书共10章,内容包括二极管、三极管及其放大电路、场效应管及其放大电路、放大器的频率响应、集成运算放大器、反馈、运算放大器应用、功率放大电路、信号的产生与变换电路及直流稳压电源等,每章含相关电路的Multiim仿真内容,全书配套了PPT、习题答案及仿真案例的电子资源,供读者扫码下载,以方便学习和应用。本书适合作为普通高等院校电子信息类专业模拟电子技术课程的教材使用,亦可作为各类电子竞赛的培训用书及相关专业工程技术人员的参考资料。《模拟电子技术第2版》内容试读第1章二极管K第1章二极管半导体材料的发现和使用是现代电子技术的基础。本章初步认识半导体材料及其性质,进而学习半导体材料构成的PN结的结构、特性及二极管的分类与应用。1.1害导体材料自然界的物质种类繁多,形态各异,特性差别巨大,这才造就了这个▣神奇多彩的世界。在电学领域人们非常关注各种物质的导电性,按照导半导体材料电性的不同可以把物质划分为导体、绝缘体和半导体。大部分金属物质如金、银、铜、铁等具有良好的导电性能,称为导体,导体的电阻率通常小于106Ω·m橡胶、塑料、玻璃等物质导电性能极差,几乎不导电,称为绝缘体,绝缘体的电阻率大于102·。导电性能介乎导体与绝缘体之间的物质如硅、锗、硒等称为半导体,其电阻率在106~108Ω·m之间。半导体材料对于电子技术的发展起着决定性的作用,现代电子技术以及以此为基础发展起来的计算机技术、通信技术、信息处理技术等都是建立在半导体材料的应用基础之上的。在长期研究和应用半导体材料的过程中,人们发现半导体材料具有许多独特的特性,主要体现在其热敏特性、光敏特性及掺杂特性上。所谓热敏特性是指半导体材料在不同的温度条件下其导电性能不同,比如热敏电阻就是利用半导体材料对温度变化的热敏特性制成的。所谓光敏特性是指半导体材料在受到不同波长、不同强度的光照射的情况下体现出的导电性能的变化,如光敏电阻、光敏二极管及光电池等都是利用半导体器件的光敏特性工作的。所谓掺杂特性是指在半导体材料中参入适量的杂质元素可以改变半导体材料的导电性能的特性,二极管、三极管及场效应等大量的半导体器件都是利用半导体材料的掺杂特性进行工作的。1.1.1本征半导体纯净且不含杂质的半导体材料称为本征半导体。这一类的物质从原子微观结构上看其典型特征为通常具有4个价电子,位于元素周期表的第V主族,如硅和锗等。硅原子的外围电子数为14,其对应的原子结构示意图如图1-1所示。硅原子聚合在一起形成硅的晶体,其结构如图1-2所示。在晶体中每个硅原子与相邻的4个硅原子之间通过共用最外层的价电子形成稳定的共价键结构,这样每个硅原子通过与相邻原子之间共用价电子形成8个最外层电子的稳定结构。本征半导体中的共价键结构并非牢不可破,受外界热能、光能的激发这些共价键可能断裂,即某些共价键中的电子受到激发挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在自由电子逃脱的位置留下一个“空位”,把这个空位称为空穴。每有一个共价键断裂,就对应形成一。1·模拟电子技a…》4+4图1-1硅原子结构图图1-2硅的晶体结构个自由电子和一个空穴,因此受外界能量激发而产生的自由电子和空穴总是成对出现的称为电子-空穴对。自由电子和空穴是半导体材料导电的载体,称为载流子。电子带负电,自由电子在本征半导体内部可以自由移动形成导电电流,称为电子电流;空穴带正电,空穴也可以导电,形成的导电电流称为空穴电流。空穴导电的原理可以这样理解:某个空穴临近的共价键断裂形成的自由电子被该空穴俘获,形成新的共价键,该空穴与自由电子复合消失,但是在新断裂的共价键的位置上又出现了一个新的空穴,可以把这个新出现的空穴看作是原来的空穴移动到了此处,空穴不断地被复合、移动、再复合、再移动就形成了空穴电流。温度的变化对本征半导体中自由电子和空穴的浓度有较大的影响。以硅晶体为例,在一273℃(即热力学温度0K)时本征半导体的共价键的价电子得不到足够的激发能量,保持稳定,此时的半导体内部没有可自由移动的载流子,不能导电,相当于绝缘体。随着温度的上升,半导体材料的导电能力增强,当温度达到室温25℃时,硅晶体中自由电子的浓度达到1.45×101°/cm3。图1-3所示为载流子形成过程示意图,图中不受共价键束缚的黑点表示自由电子,自由电子挣脱后的位置上形成空穴,用空心小圆圈表示。温度越高,本征半导体受热激发产生的载流子浓度越高,导电能力越强。虽然温度升高可以激发出大量的载流子,但是受热激发而断裂的共价键占整个共价键的比例微乎其微,因此本征半导体即使受热激发产生了大量的载流子,其导电能力仍与金属导体的导电性能相差甚远。电子空穴空穴电子图1-3载流子的形成·2第1章二极管SSAASSS1.1.2杂质半导体本征半导体在半导体元器件的生产过程中主要充当基础材料来使用,通常在本征半导体中掺入微量的“杂质”元素构成杂质半导体。根据掺杂元素的不同,杂质半导体又可以分为P型半导体和N型半导体。1.P型半导体在本征半导体中掺人微量的+3价元素,如硼、铟等,即可构成P型半导体,图1一4所示为在硅材料中掺入硼元素形成的P型杂质半导体材料的晶体结构。掺人的十3价硼原子在与硅原子形成共价键结构时,由于硼原子最外层只有3个价电子,因此每个硼原子只能与3个相邻的硅原子结合形成共价键结构,由于缺一个价电子不能与第4个相邻的硅原子形成共价键,这样就在该硼原子外部形成了一个空位,如果这个硼原子周围的硅晶体的共价键受激发断裂形成的自由电子被硼原子俘获,填补到该空位上就可以在硼原子外部形成4个完整的共价键结构了,此时的硼原子变成了一个不可移动的带负电的离子,而失去电子的位置上形成了一个带正电的空穴,此时整个半导体对外仍呈现电中性。参杂的浓度越高,杂质半导体材料中的空穴的浓度就越高。在P型半导体中由于掺杂提供了大量空位+4的空穴,因此空穴的浓度远高于因共价键激硼原子发断裂而产生的自由电子的浓度,因此把空+4+4+4穴称为多数载流子,简称多子,而自由电子空穴空穴的浓度仅与激发产生的自由电子的浓度有电子+3+4关,并且数量极少,称为少数载流子,简称少硼原子子。由于掺人的杂质元素可以接收自由电子形成共价键结构,因此把掺入的杂质元素称图1-4P型半导体为受主元素。2.N型半导体在本征半导体中掺人少量的十5价元素,如磷、砷等,即可构成N型半导体。图1-5所示为在硅材料中掺入少量磷元素形成的N型杂质半导体的晶体结构。掺入的十5价磷原子在与硅原子形成共价键结构时,由于磷电子原子最外层价电子数为5个,每个磷原子与+4+4周围的4个硅原子形成共价键后多出一个电磷原子子,该电子由于不受共价键的束缚成为自由+4电子,失掉一个电子的磷原子成为带正电的空穴电子离子,但是整个杂质半导体对外显示电中性。电子+4摻杂浓度越高,提供的自由电子的浓度就越一磷原子高,N型半导体材料的导电性就越好。每个杂质原子提供一个自由电子,称为施主元素。图1-5N型半导体·3·模拟电子技术…》在N型半导体中除了杂质提供的大量的自由电子外,杂质半导体本身也会由于激发而产生少量的电子一空穴对,因此自由电子的浓度远高于空穴的浓度,称为多子,而空穴称为少子。1.1.3化合物半导体由单一的硅、锗等第V主族元素构成的本征半导体也称为元素半导体,由几种元素化合而成的半导体材料称为化合物半导体,如砷化镓(GaA)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)及锑化铟(IS)等。化合物半导体材料由于在某些方面的突出特性而使其得到广泛的应用。化合物半导体材料也可以通过掺杂得到对应的杂质半导体。随着微电子技术的发展,砷化镓材料已是化合物半导体材料中应用最为广泛、相关技术最为成熟的材料。采用砷化镓材料制作的超高速集成电路和微波、毫米波单片集成电路是雷达电子对抗、高速计算机及卫星通信设备提高速度的关键电路,亦广泛用于蜂窝电话、数字个人通信、光纤通信以及航天系统等领域。采用砷化镓材料可制作半导体发光器件,如发光二极管(LED)和固体半导体激光器(LD),尤其是以砷化镓材料制作的各种发光二极管,具有耗电量小、寿命长、发热量少、反应速度快、体积小等许多优点,是当今半导体照明工程中不可或缺的一大材料分支,其相关产品已在室内及户外显示、LCD背光源、全彩显示屏、交通信号灯、汽车灯具等领域得到了广泛应用。1.2PN结及其特性通过半导体加工工艺把P型半导体与N型半导体紧密地结合在一▣起,在两种材料的接触面之间就形成了PN结。PN结及其特性1.2.1PN结的结构P型半导体掺人的杂质元素提供导电空穴,空穴带正电,每个带正电的空穴与提供该空穴的杂质离子一起对外显示电中性,如果杂质原子俘获了外来电子,复合掉了本身的空穴,则成为带负电的离子,则必然在其他位置由于失去电子而形成新的空穴,带负电的杂质离子与对应的空穴整体上对外仍然显示电中性。这里为研究问题简单起见,我们认为P型半导体材料中每个杂质原子提供了一个带正电的空穴,而自身成为带负电的离子。对于N型半导体而言,参入的杂质提供导电的自由电子,电子带负电,每个杂质原子可以提供一个自由电子,而自身由于失去一个电子而带正电,成为带正电荷的离子。掺杂形成的离子是不能移动的,但是它可以参与导电,真正起导电作用的是空穴和自由电子。当把两种不同的杂质半导体结合在一起时,在两种材料的接触面会出现什么现象呢?P型半导体内部的多子为空穴,浓度远远高于少子电子的浓度;N型半导体的多子为电子,其浓度远远高于少子空穴的浓度。当两种半导体材料结合在一起时,在接触面两侧,P型半导体中空穴的浓度远远高于N型半导体中空穴的浓度,而N型半导体中电子的浓度又远远高于P型半导体中电子的浓度。由于接触面两侧彼此的多子的浓度存在很大的差异,因此浓度高的一侧的多子会向浓度低的一侧移动,使接触面两侧的多子的浓度趋于平衡,4第1章二极管k把这种由于浓度差引起的载流子的移动称为扩散运动。图1-6所示为PN结形成开始阶段多子扩散示意图。由于扩散运动的存在,N型半导体一侧的多子电子扩散到P型半导体一侧,并与P型区的多子大量复合,P型区的空穴被复合以后只留下带负电的杂质离子;同理,P型区的空穴扩散到N型区并与N型区的电子大量复合,N型区的电子被复合掉后只留下带正电的杂质离子,把接触面两侧多子被复合后剩余的带电离子层称为耗尽层。由于杂质离子带电,将在接触面的两侧由带电离子形成一个区域电场,称为内电场,内电场的方向由N型区指向P型区。内电场的形成对多子的扩散具有阻碍作用。随着扩散的持续,两侧带电离子层越来越宽,内电场变得越来越强,电场对多子的扩散的阻碍作用越来越强,多子的扩散变得越来越困难,越来越弱。图1-7所示为PN结的结构示意图。P型耗尽层N型P型N型8ooo⊙⊕®@©oOOOO④⊕⊕④内电场E图1-6扩散运动图1-7PN结结构示意图其实,P型区和N型区都存在一定量的少子,少子的数量虽然少,但是双方的少子可以彼此移动到对方参与导电,把少子的这种移动称为漂移运动。在P型区和N型区接触之初,两边的多子浓度差大,多子扩散运动强烈,少子的漂移运动很弱,但是随着扩散的持续,内电场出现并不断加强,内电场对于P型区的少子电子及N型区的少子空穴穿越接触面有加速作用,因此,随着内电场的增强,扩散运动变得越来越弱,漂移运动却变得越来越强,最终扩散运动和漂移运动达到平衡,耗尽层不再加宽,内电场也稳定下来,把此时存在于P型半导体材料和N型半导体材料接触面之间的这样一种结构就称为PN结。它是接触面两侧多子的扩散运动与少子的漂移运动达到动态平衡的结果。PN结的发现和应用对电子技术的发展起到了巨大的、基础的作用,如果没有PN结,很难想象现在的科技发展会是一番什么样的状况!1.2.2PN结的导电性能给PN结的两侧施加不同电压,研究PN结在不同电压条件下的导电性能,并定义流过PN结的电流与PN结两侧所加电压的关系为PN结的伏安特性。根据所加电压方向的不同,PN结的伏安特性又分正向伏安特性和反向伏安特性。1.正向伏安特性给PN结外加直流电压,P型区接电源的正极,N型区接电源的负极,此时称PN结加正向电压或PN结正偏,如图1-8所示。这里取流入P型区的电流I的方向为电流的参考正方向,规定PN结上电压U的参考方向为P型区为正,N型区为负。由于外加电源的接入,P型区注入了大量的正电荷,N型区注入了大量的电子,并且由于外加直流电压UE的存在,在PN结的耗尽层的两侧建立起一个外加的电场E,,该电场与PN结的内电场E方向相反,因此内电场E必然受到外加电场E,的削弱,E的削弱则有利于PN结两侧多子的·5·模拟电子技术…》扩散,因此扩散运动加强,耗尽层被压缩变窄。当外加直流电压幅值足够高时,两侧的多子的扩散运动足够强,耗尽层被压缩到完全消失,PN结呈现导通的状态。耗尽层P型被压缩N型3oa白ococoo00ooogI/mA日日日日:⊙①①©①①25内电场E20一外电场E11510R00.20.40.60.81.0UW图1-8PN结正偏图1-9PN结正向伏安特性图1-9为硅材料PN结加正偏电压时的伏安特性示意图,从图可以看出,当外加电压幅值比较低时,PN结的导通电流几乎为零(其实此时的电流是有的,只是电流非常微弱,忽略掉了),但是随着外加电压的增加,PN结的导通电流开始出现,并且,在此之后随着外加直流电压的增大电流急剧上升。把PN结电流近似为零的区域称为死区。PN结的正偏导通电流随外加正偏电压的变化现象与PN结内部微观结构在正偏电压作用下的变化是一致的。当正偏电压幅值较小时,PN结的耗尽层只是被压缩变薄,PN结两侧多子的扩散仍然受到内电场的阻碍,电流很小;当外加正偏电压增加到一定幅值,耗尽层几乎被压缩消失,此时扩散电流出现并上升,之后随着外电压的增大而增大;当正偏电压足够强,内部的耗尽层及内电场完全被瓦解,此时PN结两侧完全导通,外电压的增加全部转化为回路电流的增加,电流上升显著。在图1一8所示的测试电路情况下,如果在PN结导通后显著地调高外加电压U:的幅值,PN结两端的电压U并不会显著上升,而是近似为一个常数,对于硅材料PN结,该电压约为O.6~0.7V,此时,电源电压主要消耗在回路串联电阻R上。如果没有串联电阻R,给PN结直接施加较高的电压,PN结将产生很大的电流,长时间工作必然造成PN结的损坏。2.反向伏安特性和正偏电压的方向相反,P型区接直流电源的负极,N型区接直流电源正极,称PN结外加反向电压或PN结反偏。图1-10所示为PN结耗尽层反偏伏安特性测试电路。在此,仍规定流入PN结PP型被拉宽N型型区的电流方向为电流的正方向,PN结上电压的参880⊙⊙9⊕eo'oOO⊙日⊙④⊕⊕⊕④考方向仍取P型区为正,N型区为负。可以看出,此白8白日a⑧⑧®e8时外加直流电压在PN结两侧产生一个外电场E,,该日O⊙⊙⊙①①①o外电场的方向与PN结本身内电场E的方向一致,因内电场E此相当于内电场E增强,耗尽层变宽,多子的扩散运外电场E动被进一步抑制。由于PN结两侧等效的电场增强,有利于PN结两侧少子的漂移运动,因此反偏状态下R的PN结会有从N型区到P型区的漂移电流,但是由。6图1-10PN结反偏···试读结束···...

    2023-03-01 epub电子书下载 epub电子书网站

  • 奥利奥饼干可以做什么好吃的,奥利奥饼干怎么做好吃

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    2023-02-24

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    2023-02-24

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    2023-02-24

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    2023-02-21 蒜苔腊肉怎么做 蒜苔腊肉图片

  • 蒸鸡胗的做法,蒸鸡胗怎么做

    1、主料:鸡胗200克、洋葱少许。2、辅料:油少许、五香粉少许、淀粉少许、生抽1汤匙、老抽少许、白糖少许、盐少许、鸡粉少许。3、鸡胗处理干净后再用飞水清洗干净。4、将鸡胗控干净水分,而后倒入盛具中。5、加入五香粉、盐、白糖、鸡粉、老抽、生抽、淀粉、油,并用手抓拌均匀,腌制十分钟。6、将洋葱切片,摆入盘中。7、把腌制好的鸡胗摆在洋葱上,放入电压煲蒸制。8、蒸熟后直接出锅即可。点评:...

    2023-02-21 鸡胗洋葱怎么做好吃 鸡胗洋葱的做法大全

  • 槐花怎么做干槐花饺子怎么做好吃

    干槐花饺子做法如下:1、准备食材:猪肉适量、槐花适量、饺子皮适量、姜适量、葱适量、生抽适量、花生油适量、盐适量、料酒适量、香油适量2、将槐花洗净,稍攥;3、猪肉剁馅,葱姜剁碎;4、将槐花和肉馅混合,加入生抽、花生油、盐、料酒、香油,拌匀;5、取饺子皮包入馅料,捏紧收口;6、锅中大火烧开水,水开后下入饺子,用炒勺顺锅边搅动推动饺子转起来,以防粘锅7、盖上锅盖,大火煮至沸,添一小碗冷水,继续盖盖煮,共添三次冷水,见表皮鼓起有弹性即可关火出锅。点评:这是一道家常菜,步骤清晰,操作简单易懂,最后煮出来的饺子馅料饱满,表皮鼓起有弹性,看起来非常美味可口。...

    2023-02-21 槐花饺子馅怎么做好吃 槐花饺子阅读理解答案

  • 冷冻小龙虾尾巴怎么做,冷冻小龙虾尾巴的做法

    1.首先,将小龙虾尾巴洗净,用清水冲洗干净;2.然后,将小龙虾尾巴放入滤网中,用清水冲洗,把表面的污垢洗掉;3.接着,将小龙虾尾巴放入淡盐水中,浸泡10分钟;4.然后,将小龙虾尾巴放入滤网中,用清水冲洗,把表面的盐分洗掉;5.接着,将小龙虾尾巴放入冷冻容器中,冷冻至少12小时;6.最后,将小龙虾尾巴取出,放入密封袋中,放入冰箱冷藏,即可食用。1、把冷冻的小龙虾虾尾放到清水中,室温自然解冻,把虾尾完全化开,捞出,投洗干净,沥净水分待用。麻辣牛油火锅底料一般超市都有卖的。2、把大蒜切成末,香菜切成小段,麻辣火锅底料我用了2汤匙的量,也可按个人口味放,口味重的多放一点。3、锅内加入水烧开,下入虾尾焯水,水开后煮2-3分钟,将虾尾捞出,沥净水分待用。虾尾焯水可以去除杂质和异味,吃起来更干净卫生。4、锅内加入油烧热,下入蒜蓉小火炒制,将蒜蓉炒出蒜香味。5、下入虾尾翻炒2-3分钟,煸出多余的水分,这样更容易入味。6、再下入火锅底料一起翻炒,将底料炒化开,淋入海鲜酱油,料酒,再加入鸡精,少许水,烧开,焖制入味1-2分钟,再大火收汁,下入香菜段翻炒均匀,关火,盛出装盘即可。一盘麻辣鲜香的虾尾就做好了。点评:这是一道简单实用的麻辣虾尾火锅,步骤清晰明了,讲解详细,操作简便易懂,口味独特,非常适合忙碌的家庭主妇,可以让一家人享受美味可口的虾尾火锅。...

    2023-02-21

  • 冷冻小龙虾尾巴怎么做好吃,麻辣虾尾的做法

    1.准备材料:小龙虾尾巴、蒜头、葱、姜、花椒、八角、桂皮、料酒、盐、鸡精、醋、白糖、芝麻油、辣椒油、香油。2.将小龙虾尾巴放入沸水中焯熟,捞出沥干水分。3.将蒜头、葱、姜、花椒、八角、桂皮放入油锅中爆香,加入料酒、盐、鸡精、醋、白糖、芝麻油、辣椒油、香油,炒出香味。4.将小龙虾尾巴放入锅中,翻炒均匀,加入适量水,煮至汤汁浓稠即可。1、所需材料:小龙虾虾尾1斤、香菜2棵、油适量、大蒜4-5瓣、麻辣牛油火锅底料2汤匙、料酒1汤匙、海鲜酱油1汤匙、鸡精1茶匙。2、把冷冻的小龙虾虾尾放到清水中,室温自然解冻,把虾尾完全化开,捞出,投洗干净,沥净水分待用。麻辣牛油火锅底料一般超市都有卖的。3、把大蒜切成末,香菜切成小段,麻辣火锅底料我用了2汤匙的量,也可按个人口味放,口味重的多放一点。4、锅内加入水烧开,下入虾尾焯水,水开后煮2-3分钟,将虾尾捞出,沥净水分待用。虾尾焯水可以去除杂质和异味,吃起来更干净卫生。5、锅内加入油烧热,下入蒜蓉小火炒制,将蒜蓉炒出蒜香味。6、下入虾尾翻炒2-3分钟,煸出多余的水分,这样更容易入味。7、再下入火锅底料一起翻炒,将底料炒化开,淋入海鲜酱油,料酒,再加入鸡精,少许水,烧开,焖制入味1-2分钟,再大火收汁,下入香菜段翻炒均匀,关火,盛出装盘即可。点评:这是一道很美味又容易做的小龙虾虾尾火锅,步骤清晰,材料齐全,烹饪过程也很简单,最后淋上香菜段,更有风味。做起来也很方便,是一道不错的家常菜,值得推荐。...

    2023-02-21 小龙虾 料酒 啤酒 小龙虾料酒什么时候放

  • 豆干怎么做卤出来不烂,怎么做卤豆干

    1.首先,将豆干放入清水中浸泡,浸泡时间一般为2-3小时,以使豆干充分吸收水分;2.然后,将豆干放入沸水中煮熟,煮熟后捞出沥干水分;3.接着,将豆干放入卤汁中,卤汁中加入适量的盐、酱油、料酒、葱姜蒜等调料,煮至豆干变软;4.最后,将豆干捞出,放入油锅中炸至金黄色即可。1、豆干300克,猪心半个,大料一包,生姜一块,大蒜籽三粒,香葱二根。2、猪心先放在水里煮二分钟,也顺便去掉它的腥味。煮的时候放少许姜丝和盐。3、准备好配料,一大包卤料,三粒大蒜,一块生姜。4、把豆干,猪心,大料都放进高压锅里,放水,水的份量刚刚盖住豆干和猪心即可。盖盖子煮十分钟,如果不用高压锅,直接煮熟的话,就要用半个小时以上为好。5、再把大蒜籽切碎,香葱切成葱花备用。还准备了一小碟老干妈。6、时间到了,卤料的香味也传出来了,等锅里的水蒸汽出完了就把卤好的豆干和猪心拿出来晾一下。7、再把豆干用水冲下,因为今天的卤料包煮烂了,然后很多细末子,只能用水再冲洗下,再切成小条备用。8、锅烧七成热放少量花生油,先把蒜煎出香味,再把豆干放下去,加少量盐,和葱花,翻炒一分钟。关火,装盘,上桌开吃了。点评:这是一道很简单的家常菜,菜肴的制作步骤清晰明了,配料的搭配也很合理,做法也很简单,可以说是初学者的不二之选。最后,把豆干放入油锅中翻炒,再淋上老干妈,绝对是色香味俱全,值得推荐。...

    2023-02-21

  • 茄子晒干了怎么做

    茄子晒干了可以用来做茄子干,可以把晒干的茄子切成小块,放入油锅中炒香,加入盐、酱油、糖等调料,炒至茄子干变软,即可出锅。1、茄子干用凉水泡20分钟以上,泡软了就可以了。2、泡软的茄子干洗干净,稍微切小片一点。3、蒜苗切小段,蒜切蒜末。4、锅中放适量油,油可以多一些,茄子比较吃油。油热后放入茄子干,大火翻炒1分钟。5、放入蒜末和1勺盐,翻炒1分钟。6、放入少许清水3勺剁辣椒、1勺生抽、1勺蚝油。7、搅拌均匀,盖上锅盖,大火焖5分钟左右。8、放入蒜末翻炒片刻。9、关火,装盘。点评:以上内容描述的是一道简单可口的茄子干蒜苗炒菜,做起来比较容易,做法也比较简单,可以满足一家人的饭桌。可以在第五步中,可以多加一些调料,如芝麻油、糖等,可以增加食物的口感。...

    2023-02-21 茄子茄子干怎么写 茄子茄子干能组什么词

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